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SBL(F,B)1630CT & SBL(F,B)1640CT
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 88727
Revision: 07-May-08
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode (1)
8.0 A V
F
0.55 V
Maximum instantaneous reverse current at rated DC
blocking voltage per diode (1)
TC
= 25 °C
TC
= 100 °C
IR
0.5
50
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL SBL SBLF SBLB UNIT
Typical thermal resistance from
junction to case per diode R
θJC
2.0 4.0 2.0 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB SBL1630CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB SBLF1630CT-E3/45 1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape and reel
TO-220AB SBL1630CTHE3/45
(1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB SBLF1630CTHE3/45
(1)
1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CTHE3/45
(1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB SBLB1630CTHE3/81
(1)
1.35 81 800/reel Tape and reel
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
0
50
150
100
250
200
300
1
100
10
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
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